Cleaning and sputtering using planar acoustoplasma magnetron

Абстрактные. В статье описаны полученные экспериментальные результаты для планарного акустоплазменного магнетрона. Небольшой радиус анодной петли позволяет фокусировать и ускорять ионный компонент распыленного материала. В качестве буферного газа использовали аргон. Сравниваются характеристики магнетрона в случае постоянного тока и в акустоплазменном режиме (AP) (с модулированным током, содержащим постоянные и переменные компоненты). Скорость распыления в режиме AP увеличивается. Для медного катода давление газа составляло <1 Па и плотность тока порядка 100 мА / см ²с увеличением расстояния от анода до осажденного субстрата от 2 до 4 см в случае подачи постоянного тока скорость осаждения снижается в 3,3 раза (от 17 до 5 нм / с), в акустоплазменном режиме - в 2 раза (от 13 до 6,4 нм / с). Для расстояния анода-подложки 4 см прирост скорости осаждения в режиме AP по сравнению с DC составляет 1,2-1,5 раза. Измерялись зависимости ионного и электронного токов на подложке от разных параметров разряда. Исследование основано на схеме с двумя потенциальными сетками с фиксированными и переменными потенциалами. Показана возможность формирования кольцевого пароплазменного потока быстрых частиц.